MOSFET

トランジスタ技術の開発は、後に人間の経験のほぼすべての側面に影響を与えることになる新世代の電子機器にとって不可欠なものでした。1959年にベル研究所のモハメド・アタラとダウォン・カーンによってMOSトランジスタ（MOSFET）という形で電界効果トランジスタが実現されたことは、幅広い用途に向けた小型化と大量生産の新たな機会をもたらしました。

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